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[发明专利]利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法-CN200510054469.4无效
发明人：李凯;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。
利用砷化铟铟铝砷叠层点制备纳米生长方法

[发明专利]一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法-CN202211219510.9在审
发明人：刘丽杰;赵有文;王俊;王应利;杨俊;卢伟;卢超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S4，采用湿法化学腐蚀对S3所得的砷化铟单晶片进行氧化、清洗；S5，将S4所得的砷化铟单晶片甩干，得到薄氧化层界面的砷化铟衬底。本公开的方法能够得到薄的III族铟和V族砷氧化物层，在砷化铟衬底外延时易于使该氧化物层脱附，且外延的缺陷密度低。
一种控制砷化铟中氧化物方法

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[发明专利]一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池-CN201510295810.9在审
发明人：胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池，电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上，依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本发明的优点在于：利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流，从而最终提高热光伏电池的量子效率。
一种带势垒层结构砷化铟热光伏电池

[实用新型]带势垒层结构的砷化铟热光伏电池-CN201520372603.4有效
发明人：胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本专利公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池，电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上，依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本专利的优点在于：利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流，从而最终提高热光伏电池的量子效率。
带势垒层结构砷化铟热光伏电池

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法-CN201510012713.4有效
发明人：杨涛;高凤;罗帅;季海铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤步骤1选择一磷化铟衬底；步骤2在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点有源层，所述铟镓砷磷薄层是砷化铟量子点有源层的下势垒层；步骤5在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，本层为砷化铟量子点有源层的上势垒层。
制作光谱砷化铟磷化量子激光器有源方法

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法-CN202310041597.3在审
发明人：冯银红;沈桂英;赵有文;杨俊;谢辉;刘京明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法，包括：将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片；将预处理后的抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，第一腐蚀液由磷酸和过氧化氢配制而成；对经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片置于第二腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，第二腐蚀液由盐酸和水配制而成；将经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行清洁干燥后，对经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行显微观察，确定经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片的表面腐蚀浅坑的数量和腐蚀浅坑的分布情况。
一种抛光后砷化铟晶片表面损伤腐蚀检测方法

[发明专利]对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法-CN202310483934.4在审
发明人：刘丽杰;赵有文;王俊;王应利;杨俊;卢伟;刘京明;卢超;谢辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本公开提供一种对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法，该检验方法包括：S1，将砷化铟衬底置于柠檬酸溶液中进行第一次腐蚀，再用去离子水冲洗；其中，砷化铟衬底表面形成有自然氧化层；S2，将S1所得的砷化铟衬底置于盐酸溶液中进行第二次腐蚀，再用去离子水冲洗并干燥；S3，利用偏光显微镜将S2所得的砷化铟衬底在暗场下检验观察，判断砷化铟衬底表面是否存在颗粒；S4，若砷化铟衬底表面存在颗粒，则自然氧化层中III族铟的元素百分比高于V族砷的元素百分比；否则，自然氧化层中V族砷的元素百分比不低于III族铟的元素百分比。本公开的方法采用常规的显微镜技术即可实现对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验，便捷方便。
砷化铟中 iii 氧化物检验方法定量

[发明专利]砷化铟薄膜的外延层结构、霍尔器件及制备方法-CN202211220089.3在审
发明人：李鑫;朱忻;何渊;吴铭;余泽辉;蔡兴文;万楚华 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司;深圳市赛迈科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化铟薄膜的外延层结构，涉及化合物半导体的技术领域，包括一砷化镓衬底；一缓冲层，覆盖于所述砷化镓衬底的上表面一砷化铟缓冲结构，覆盖所述缓冲层；一砷化铟功能层，覆盖于所述砷化铟缓冲结构的上表面解决了现有技术中砷化铟霍尔器件信噪比低的技术问题，达到了在不降低灵敏度的基础上提高信噪比的技术效果。
砷化铟薄膜外延结构霍尔器件制备方法

[发明专利]自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法-CN03137828.5无效
发明人：刘金龙;李树深;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-05-21 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓；重复3－4步骤1－40个循环，循环累积生长自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点，提高材料的发光效率；生长1－30个原子层的砷化铝扩散阻挡层用于阻止铟原子扩散；生长1－30nm的铟镓砷缓冲层以减缓应力的变化；最后生长5－300nm的砷化镓盖层来保护所生长的材料。
组织砷化铟砷化镓盘状量子材料制作方法

[发明专利]砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管-CN201110041984.4无效
发明人：梁德春;李新坤;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管和啁啾结构砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管。
砷化镓基短波长量子辐射发光二极管

[发明专利]一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器-CN201810944789.4有效
发明人：毛陆虹;李佳奇;谢生 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，包括有铟砷化镓基底层，铟砷化镓基底层上端面的一端设置有金金属漏极，另一端设置有金金属源极，在金属漏极和金属源极之间且位于铟砷化镓基底层上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层、作为第一层势垒的铝化砷层、作为半导体量子阱的铟砷化镓层、作为第二层势垒的铝化砷层和作为吸光材料的N型铟砷化镓层，其中，铟砷化镓层、铝化砷层和N型铟砷化镓层两端与所对应的金属漏极和金属源极之间分别形成有氧化绝缘层，N型铟砷化镓层的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层。
一种半导体光控赫兹量子振荡器

[发明专利]一种砷化铟纳米结构及基于砷化铟纳米结构的红外探测器-CN202110952178.6有效
发明人：李茜;李子园;袁小明;何军;左鑫荣;黄志伟 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于红外探测器技术领域，提供一种用于红外探测的砷化铟纳米结构。其中，衬底和设置在所述衬底上的砷化铟纳米结构，所述砷化铟纳米结构至少包括一片状结构的砷化铟。本发明提供的砷化铟纳米结构具备较高的吸收率，进一步本发明提供的三叶草砷化铟纳米结构提高了宽光谱特性，且不具有偏振，在三叶草基础上进一步提供雪花结构，进一步提高吸收率。
一种砷化铟纳米结构基于红外探测器

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